总部位于德国纽比贝格的领先半导体公司英飞凌科技股份公司 (Infineon Technologies AG) 与总部位于日本京都的知名半导体制造商罗姆半导体 (ROHM Semiconductor) 联手，这是全球半导体领域的一项里程碑式举措。两家行业巨头签署了一份谅解备忘录，建立SiC（碳化硅）功率器件封装合作机制。

合作范围及目标

此次合作的重点是开发适用于各种应用的 SiC 功率器件封装解决方案，包括电动汽车车载充电器、太阳能发电系统、储能系统和人工智能数据中心。此次合作的主要目标之一是将彼此定位为特定 SiC 功率器件封装类型的第二供应商。这一战略举措将使客户能够从 ROHM 和英飞凌采购兼容的封装产品，从而彻底改变市场。

对于最终用户来说，这意味着在满足各种应用需求方面具有前所未有的灵活性。无论是特定的设计需求还是产品之间无缝切换的能力，此次合作都有望增强整体客户体验。在设计和采购方面，此次合作将显着简化流程，使工程师和买家更轻松地驾驭半导体市场。

技术进步

英飞凌的创新 SiC 顶部 – 冷却平台

作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌的尖端 SiC 顶部冷却平台。该平台包含多种封装选项，即 TOLT、D – DPAK、Q – DPAK、Q – DPAK Dual 和 H – DPAK。该平台的一个突出特点是所有包装类型的标准化高度均为 2.3 毫米。这种标准化带来了许多好处。它简化了工程师的设计流程，降低了集成不同组件的复杂性。此外，它还有助于降低冷却系统的成本，因为更统一的设计可以实现更有效的散热策略。此外，标准化的高度可以更好地利用基板空间，从而使功率密度潜在增加两倍。

ROHM的DOT-247 SiC模块与英飞凌的集成

另一方面，英飞凌将采用ROHM先进的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容的封装解决方案。此次整合将扩展英飞凌全新的 Double TO-247 IGBT 产品组合，纳入 SiC 半桥解决方案。 ROHM 的 DOT-247 封装与传统分立器件封装相比具有多种优势。它具有连接两个 TO-247 封装的独特结构。与标准 TO-247 封装相比，该设计使热阻显着降低约 15%，电感显着降低 50%。因此，DOT-247封装的功率密度达到传统TO-247封装的2.3倍，为工程师提供了更大的设计自由度，并能够以更紧凑的外形尺寸实现更高的功率输出。

未来的扩张和行业影响

展望未来，英飞凌和罗姆制定了雄心勃勃的计划，将合作扩展到硅基封装之外。他们的目标是将合作范围扩大到各种封装领域，包括 SiC 和 GaN（氮化镓）。此次扩张不仅将加深两家公司之间现有的合作伙伴关系，还将为客户提供更广泛的解决方案和采购选择。

在竞争激烈的半导体市场中，英飞凌和罗姆之间的合作有望树立新的标准。通过结合他们的技术专长和市场覆盖范围，他们能够推动 SiC 功率器件封装的创新，并为客户提供尖端的解决方案，以满足现代应用不断变化的需求。随着行业不断向更高的效率、紧凑性和性能迈进，这种合作很可能会改变游戏规则。