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Company News - Linsen Semiconductor

新闻资讯

4 月 18, 2026

LS200R120L2H1，1200V 200A IGBT 模块可直接替代FF200R12KT4/SKM200GB12T4/GD200HFY120C2S，性能对标，成本节约15%-35%

2 月 1, 2026

功率半导体国产化替代：不仅是“后备选择”，更是产业升级的“助推器”

国内生产功率半导体的优势

11 月 15, 2025

IGBT产业加速突破：国产技术崛起，应用场景持续拓展

10 月 11, 2025

英飞凌与 ROHM Forge 战略 SiC 功率器件封装合作伙伴关系

10 月 25, 2024

IGBT损耗的计算

IGBT模块由IGBT单元和FWD单元组成，它们各自产生的损耗之和就是IGBT模块整体产生的损耗。

3 月 19, 2023

IGBT技术原理及应用分析

IGBT已成为不可替代的核心器件，推动电力电子技术向高效、智能化方向发展

9 月 19, 2020

IGBT 驱动电路：核心重要性、功能和设计要求

IGBT驱动电路的重要性

2 月 6, 2020

LS450R120L2H1 450A/1200V 半桥IGBT模块——可替代产品型号FF450R12KT4、SKM450GB12T4，GD450HFY120C2S，SKM400GB12T4

1 月 10, 2020

LS50E120L4HZ可直接替代产品型号：FP50R12KT4、GD50PIY120C5SN

高性能替代解决方案

1 月 1, 2020

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