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功率半导体国产化替代：不仅是“后备选择”，更是产业升级的“助推器”

国内生产功率半导体的优势

IGBT产业加速突破：国产技术崛起，应用场景持续拓展

英飞凌与 ROHM Forge 战略 SiC 功率器件封装合作伙伴关系

IGBT损耗的计算

IGBT模块由IGBT单元和FWD单元组成，它们各自产生的损耗之和就是IGBT模块整体产生的损耗。

IGBT技术原理及应用分析

IGBT已成为不可替代的核心器件，推动电力电子技术向高效、智能化方向发展

IGBT 驱动电路：核心重要性、功能和设计要求

IGBT驱动电路的重要性

LS50E120L4HZ可直接替代产品型号：FP50R12KT4、GD50PIY120C5SN

高性能替代解决方案