IGBT损耗的计算

1.关于IGBT损耗
IGBT模块由IGBT单元和FWD单元组成，它们各自产生的损耗之和就是IGBT模块整体产生的损耗。此外，损耗一般可分为传导损耗和开关损耗，进一步细分如下。
IGBT的总损耗构成：

IGBT单元和FWD单元的导通损耗都可以根据输出特性计算出来。同时，可以根据开关损耗-集电极电流特性计算开关损耗。热设计基于计算的损耗，以确保结温Tj不超过允许值。
Therefore, the value of the on-state voltage and switching losses at high junction temperatures is usually used for the calculation of losses.

2. 直流斩波电路IGBT损耗计算方法
当直流斩波电路工作时，流经IGBT或FWD的电流可以被认为是连续的矩形波，这使得进行近似计算变得简单。图中显示了直流斩波电路的近似工作波形。集电极电流为 IC 时的饱和压降和开关损耗分别为 VCE(sat)、Eon、Eoff，FWD 的正向电流为 IF 时的通态电压和反向恢复损耗分别为 VF、Err，IGBT 模块的损耗近似如下：
IGBT Losses (W) = Conduction Losses + Turn-On Losses + Turn-Off Losses :

正向损耗（W）=导通损耗+反向恢复损耗

直流斩波电路的工作波形：

目标市场和应用程序

实际的直流电源电压、栅极电阻值等条件可能与规格书中记载的有所不同，此时可按以下规则进行近似计算。

① 当直流电源电压Ed(VCC)不同时

通态电压：不受Ed(VCC)影响；
开关损耗：与Ed(VCC)成正比；

②栅极电阻值不同时

通态电压：不受栅极电阻值影响；
开关损耗：与开关时间成正比，取决于栅极电阻值的大小

3.正弦VVVF逆变器应用IGBT模块损耗计算方法
*VVVF，是VariableVoltage和VariableFrequency的缩写，意思是：可变电压、可变频率，也称为变频调速系统。 VVVF控制的变频器与电机连接，通过同时改变频率和电压，达到恒定磁通（可以用反电位/频率表征来近似）和控制电机转速（与频率成正比的转速）的目的，所以更常用于变频器，属于工业自动化领域。